随着新能源汽车行业的发展与进步，提升新能源汽车续航里程成为了行业发展的主要任务之一，在动力电池能量密度不能持续增加的情况下，降低车用部件重量是提升续航里程的首选方案。OBC作为新能源汽车的核心部件之一，其效率、功率密度等参数对新能源汽车充电时间和续航里程具有一定影响。碳化硅功率器件替代硅器件对OBC功率密度提升和重量降低有着显著的效果。

　　作为新能源汽车引领者，比亚迪乘用车现已构建起传统燃油、混合动力、纯电动车全擎全动力产品体系。2015年起，比亚迪新能源汽车连续三年取得全球销量第一，并以高颜值、电动化、智能网联为核心发展方向，开启了造车新时代。

　　比亚迪车载充电机(OBC)应用国产碳化硅MOS，选用深圳本地碳化硅企业--深圳爱仕特科技产出的1200V30A的TO247-4封装的SICMOSFET。双方已签订年用量3KK,月用量300K的订单，为新能源汽车提供更强优势和性能。

　　深圳爱仕特科技有限公司专注于第三代半导体碳化硅(SiC) MOS 芯片设计、功率模块的生产制造及其基于 SiC 器件在新能源领域 的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数 亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士 共同组建的高科技技术创新性企业。公司拥有全自主知识产权，已申请 25 项专利技术，采用 6 英寸技术已量产 20 余款 650V~3300V 全系列 SiC MOSFET 产品，并建立起车规级的 SiC MOS 模块工厂，可为客户提供整套应用解决方案。产品已大量出口欧美客户。

　　深圳爱仕特科技，产品已通过IATF16949和ISO9001质量体系双重认证。产品已得到：美国通用 ，厦门金龙， 吉利，长安，BYD等车企的认可和支持，碳化硅MOSFET和模块的国产化，迈向新的征程。

　　上的应用，可替代C2M0080120D /

　　体积及发热要求较高的应用；B1M080120HC耐压1200V，最大通过电流44A（T=100℃），导通电阻80mΩ；

　　随着对电动汽车（EV）需求的持续增长，制造商正在比较两种半导体技术，即

　　（SiC）具有耐高温、低功耗、刚性，并支持EV电力电子设备所需的更小、更薄的设计。SiC当前应用的示例包括

　　功率从电动机车等应用中的不到 2 kW，到高端电动汽车中的 22 kW 不等。传统上，

　　设计 /

　　半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图

　　MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC

　　以及DC-DC转换器输入/输出特性、效率与保护项目测试，包含基本电气特性及通讯协定测试项目；测试参考依据：QC/T

　　全称为OnBoardCharger，可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-400VDC）的功能，其

　　方案中 /

　　) /

　　中，基于SiC的解决方案在成本、尺寸、重量、功率密度和效率所有相关方面，都优于基于Si的解决方案。例如，在（为什么在下一个双向

　　设计 /

　　以及DC-DC转换器输入/输出特性、效率与保护项目测试，包含基本电气特性及通讯协定测试项目

　　MOS出了一系列750 V典型耐压的，它希望能够将以前仅用于新能源车、太空飞船和高阶工控技术引入消费

　　上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

　　二次侧整流 /

　　应用方案 /

　　DC/DC转换电源电路比较 /

　　器和电池管理解决方案的尺寸，最近导致它们集成到 DC-DC 转换器和配电单元中。

　　技术基本原理——生长、表征、器件和应用》 /

　　的作用及工作原理，此次给我讲解的是北京昊锐科技有限公司的刘经理，她很仔细的讲解了他们公司自主研发的

　　的作用及工作原理终于弄懂啦 /

　　,动力电池化成分容充放电检测仪，双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB），混合动力汽车HEV,EV，逆变器，

　　MOS的特性是怎样的 /

　　企业的SiC MOSFET技术实力已经是实现领先。以爱仕特为例，据李润华介绍，爱仕特自主设计的第三代6英寸SiC MOSFET平面结构芯片的导通电阻最低

　　是新能源汽车必不可少的核心零部件，其市场规模随着新能源汽车市场的快速增长而扩大。2016年，电动汽车

　　图解 /

　　是新能源汽车必不可少的核心零部件，其市场规模随着新能源汽车市场的快速增长而扩大。2016年，电动汽车

　　器 含原理图、PCB图、C源代码、变压器参数等生产资料。附赠15kwdcdc模块资料1、这款产品的方案采用的是dsp2803x系列。2、原理图和Pcb采用AD绘制。

　　新布局有哪些？ /

　　MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件损耗更适合应用于高频电路

　　MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表：

　　设计，不管是车身上的动力总成(Powertrain)系统，还是固定安装在路边或车库里的

　　应用而言，设备的大小跟重量非常关键。若车上的逆变器(Inverter)、

　　在性能上比较原有器件有哪些优势？中电化合物半导体有限公司副总经理张昊翔和

　　器件，为什么这么火？ /

　　材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求，国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局

　　北地区，机器内部电力器件都较大，一般在带载较大运行时存在较小噪声，但该机型在恶劣的电网环境条件中耐抗性能较强，可靠性及稳定性均比高频机强。   电动汽车

　　陶瓷和金属铝的不同优势，具有高导热性（180+）、与芯片相匹配的热膨胀系数（6-9）、密度小（3.0）、重量轻，以及高硬度

　　之外，还有助于实现很高的系统集成度。这使得该器件非常适合诸多快速开关汽车应用，如

　　在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本

　　（SiC）陶瓷线路板的的高击穿场强和高工作温度。其优点主要可以概括为以下几点：1) 高温工作SiC在物理特性上

　　大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好

　　（SiC） MOSFET、超级结MOSFET、IGBT和汽车功率模块（APM）等广泛的产品阵容乃至完整的系统方案，以专知和经验支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍针对主流功率等级的高能效

　　接口。中华人民共和国汽车行业标准《QCT 895-2011 电动汽车用传导式

　　编辑：Henry 校对：Tao 很多乘用电动车主已经习惯了这种操作：下班回到家，把车接上家用慢充

　　。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。产品可广泛应用于太阳能逆变器、

　　（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料

　　较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面

　　横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体被雷诺 － 日产 － 三菱联盟指定为高能效

　　作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步

　　日前，德国一家名为Innolectric的公司推出了一款输出功率可达22kW的

　　（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs

　　MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。

　　的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无

　　(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

　　PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。二、

　　每个桥臂需要4个MOSFET以及各自的驱动，增加了系统复杂度，再比如每个桥臂需要各自的钳位二极管，增加了系统成本。本文中，将介绍我们8KW LLC变换器的设计方案。使用Cree的1200V

　　功率器件领导品牌-深圳基本半导体有限公司签署合作协议，正式展开合作。深圳基本半导体有限公司（Shenzhen BASiC Semiconductor Ltd.）是中国第三代

　　的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入

　　的国外企业有TDK、博世、大陆、德尔福、联合电子、艾默生等，国内企业有欣联达科技、欣锐科技、

　　工新能源、洛阳嘉盛、深圳威迈斯、金霆正通等。图为欣联达电控DC／DC变换器产品二、

　　产能为230万左右，盘踞环球75%左右的份额。因为产能多余重大，今年多半企业的开工率不敷5成。另外，中国也是

　　（SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状

　　、铝硅电子封装材料，高导热、低膨胀系数。可根据客户需求进行定制，适合各种IGBT基板热沉，支架等，希望可以和大家一起合作，有需要联系我 。赵昕

　　解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝

　　做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！

　　模块用两种拓扑结构的实验和总结。1.谐振LLC 和移相电路及其新能源中的应用比较如图1所示，谐振（英文：Resonant）LLC和移相（英文：Phase

　　二极管：C5D50065D;单端反激Flyback辅助电源的MOSFET：C2M1000170D方案能广泛应用于新能源电动汽车

　　呢？有没有类似于CP/CC那种检测到检测点电压变化的指标，还是通过软件给我们